Wéinst der Raritéit vum natierleche Moissanit ass déi meescht Siliziumkarbid synthetesch.Et gëtt als Schleifmëttel benotzt, a méi kierzlech als Halbleiter an Diamantsimulant vu Bijouqualitéit.Den einfachsten Fabrikatiounsprozess ass d'Kombinatioun vu Silikasand a Kuelestoff an engem Acheson-Graphit-elektresche Resistenzofen bei enger héijer Temperatur tëscht 1.600 °C (2.910 °F) an 2.500 °C (4.530 °F).Fein SiO2-Partikelen a Planzematerial (zB Räisschëss) kënnen an SiC ëmgewandelt ginn andeems d'iwwerschësseg Kuelestoff aus dem organesche Material erhëtzt gëtt.De Silicadamp, deen en Nebenprodukt ass fir Siliziummetall a Ferrosilisiumlegierungen ze produzéieren, kann och op SiC ëmgewandelt ginn andeems Dir mat Grafit op 1.500 ° C (2.730 ° F) erhëtzt.
F12-F1200, P12-P2500
0-1 mm, 1-3 mm, 6/10, 10/18, 200 mesh, 325 mesh
Aner speziell Spezifikatioune kéinten op Ufro geliwwert ginn.
Grit | Sic | FC | Fe2O3 |
F12-F90 | ≥98,50 | <0.20 | ≤0,60 |
F100-F150 | ≥98,00 | <0.30 | ≤0,80 |
F180-F220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1,20 |
F230-F400 | ≥96,00 | <0.40 | ≤1,20 |
F500-F800 | ≥95,00 | <0.40 | ≤1,20 |
F1000-F1200 | ≥93.00 | <0,50 | ≤1,20 |
P12-P90 | ≥98,50 | <0.20 | ≤0,60 |
P100-P150 | ≥98,00 | <0.30 | ≤0,80 |
P180-P220 | ≥97.00 | <0.30 | ≤1,20 |
P230-P500 | ≥96,00 | <0.40 | ≤1,20 |
P600-P1500 | ≥95,00 | <0.40 | ≤1,20 |
P2000-P2500 | ≥93.00 | <0,50 | ≤1,20 |
Grits | Bulk Dicht (g/cm3) | Héich Dicht (g/cm3) | Grits | Bulk Dicht (g/cm3) | Héich Dicht (g/cm3) |
F16 ~ F24 | 1,42 ~ 1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36 ~ 1,45 | ≥1,45 |
F30 ~ F40 | 1,42 ~ 1,50 | ≥1,50 | F120 | 1.34~1.43 | ≥1,43 |
F46 ~ F54 | 1.43~1.51 | ≥1,51 | F150 | 1.32~1.41 | ≥1,41 |
F60 ~ F70 | 1,40 ~ 1,48 | ≥1,48 | F180 | 1,31 ~ 1,40 | ≥1,40 |
f80 | 1,38~1,46 | ≥1,46 | F220 | 1,31 ~ 1,40 | ≥1,40 |
f90 | 1,38 ~ 1,45 | ≥1,45 |
Wann Dir Froen hutt.W.e.g. kontaktéiert eis w.e.g.